2SB754Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB754Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB754Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB754Y даташит

 8.1. Size:98K  toshiba
 2sb754.pdf pdf_icon

2SB754Y

 8.2. Size:326K  jmnic
 2sb754.pdf pdf_icon

2SB754Y

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SB754 DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SD844 High collector current I =-7A C Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected

 8.3. Size:199K  inchange semiconductor
 2sb754.pdf pdf_icon

2SB754Y

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB754 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO High Collector Current I = -7A C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max) @I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD844 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB751, 2SB751A, 2SB751B, 2SB753, 2SB753O, 2SB753Y, 2SB754, 2SB754O, BD335, 2SB755, 2SB756, 2SB757, 2SB758, 2SB758A, 2SB759, 2SB759A, 2SB75A