Справочник транзисторов. 2SB754Y

 

Биполярный транзистор 2SB754Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB754Y
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для 2SB754Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB754Y Datasheet (PDF)

 8.1. Size:98K  toshiba
2sb754.pdfpdf_icon

2SB754Y

 8.2. Size:326K  jmnic
2sb754.pdfpdf_icon

2SB754Y

Product Specification www.jmnic.comSilicon PNP Power Transistors 2SB754 DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SD844 High collector current :I =-7A CLow collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected

 8.3. Size:199K  inchange semiconductor
2sb754.pdfpdf_icon

2SB754Y

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB754DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOHigh Collector Current: I = -7ACLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max) @I = -4ACE(sat) CComplement to Type 2SD844Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh cur

Другие транзисторы... 2SB751 , 2SB751A , 2SB751B , 2SB753 , 2SB753O , 2SB753Y , 2SB754 , 2SB754O , TIP35C , 2SB755 , 2SB756 , 2SB757 , 2SB758 , 2SB758A , 2SB759 , 2SB759A , 2SB75A .

 

 
Back to Top

 


 
.