2N161 Todos los transistores

 

2N161 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N161

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.25 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO22

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2N161 datasheet

 0.1. Size:665K  rca
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 0.2. Size:51K  philips
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2N161

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D111 2N1613 NPN medium power transistor 1997 Apr 11 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor 2N1613 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V). 1 emitt

 0.3. Size:64K  central
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2N161

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 0.4. Size:22K  semelab
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2N161

2N1616 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) NPN SILICON TRANSISTOR ! Bipolar Power Transistor TO 61 Hermetic Package High Current Switching LF Large Signal Amplification TO 61 Metal Package. Pin 1 Emitter Pin 2 Base Case Collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25 C unless

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History: 2N1608 | 2SA1529 | 2N6735 | 2N1745 | ED1702N | 2N1674 | ECG129

 

 

 

 

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