Биполярный транзистор 2N161 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N161
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.25 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO22
2N161 Datasheet (PDF)
2n1613.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1613NPN medium power transistor1997 Apr 11Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1613FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emitt
2n1613 2n1711 2n1893.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n1616.pdf

2N1616MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NPN SILICON TRANSISTOR ! Bipolar Power Transistor TO61 Hermetic Package High Current Switching LF Large Signal Amplification TO61 Metal Package.Pin 1 Emitter Pin 2 Base Case CollectorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless
Другие транзисторы... 2N160 , 2N1605 , 2N1605A , 2N1606 , 2N1607 , 2N1608 , 2N1609 , 2N160A , A1266 , 2N1610 , 2N1611 , 2N1612 , 2N1613 , 2N1613-46 , 2N1613A , 2N1613B , 2N1613L .
History: 2SCR542P | MT0413 | BDW73 | KT853G | D39V1
History: 2SCR542P | MT0413 | BDW73 | KT853G | D39V1



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet