2SB806 Todos los transistores

 

2SB806 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB806
   Código: KP_KQ_KR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 17 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2SB806 Datasheet (PDF)

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2SB806

SMD Type TransistorsSMD TypePNP Transistors2SB806 Features Classification of hfe(1)1.70 0.1 High collector to emitter voltage: VCEO -120V. =0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -120 VCollector-emitter voltage VCEO -120 VEmitter-base voltage VEBO -5 VC

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History: 2SB894

 

 
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