2SB806KQ Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB806KQ

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 35 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 17 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 135

Encapsulados: SOT89

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2SB806KQ datasheet

 8.1. Size:234K  nec
 2sb805 2sb806.pdf pdf_icon

2SB806KQ

 8.2. Size:817K  kexin
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2SB806KQ

SMD Type Transistors SMD Type PNP Tr ansistors 2SB806 Features Classification of hfe(1) 1.70 0.1 High collector to emitter voltage VCEO -120V. = 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -120 V Collector-emitter voltage VCEO -120 V Emitter-base voltage VEBO -5 V C

 8.3. Size:661K  cn shikues
 2sb806-kr 2sb806-kq 2sb806-kp.pdf pdf_icon

2SB806KQ

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