2SB806KQ Todos los transistores

 

2SB806KQ . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB806KQ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 17 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 135
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2SB806KQ Datasheet (PDF)

 8.1. Size:234K  nec
2sb805 2sb806.pdf pdf_icon

2SB806KQ

 8.2. Size:817K  kexin
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2SB806KQ

SMD Type TransistorsSMD TypePNP Transistors2SB806 Features Classification of hfe(1)1.70 0.1 High collector to emitter voltage: VCEO -120V. =0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -120 VCollector-emitter voltage VCEO -120 VEmitter-base voltage VEBO -5 VC

 8.3. Size:661K  cn shikues
2sb806-kr 2sb806-kq 2sb806-kp.pdf pdf_icon

2SB806KQ

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