2SB806KQ . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB806KQ
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 17 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 135
Paquete / Cubierta: SOT89
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2SB806KQ Datasheet (PDF)
2sb806.pdf

SMD Type TransistorsSMD TypePNP Transistors2SB806 Features Classification of hfe(1)1.70 0.1 High collector to emitter voltage: VCEO -120V. =0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -120 VCollector-emitter voltage VCEO -120 VEmitter-base voltage VEBO -5 VC
Otros transistores... 2SB804AV , 2SB804AW , 2SB805 , 2SB805KK , 2SB805KL , 2SB805KM , 2SB806 , 2SB806KP , MJE340 , 2SB806KR , 2SB807 , 2SB808 , 2SB808F , 2SB808G , 2SB81 , 2SB810 , 2SB811 .



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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