2SB808G Todos los transistores

 

2SB808G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB808G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 280
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SB808G Datasheet (PDF)

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2SB808G

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB8001.70 0.1 Features High Collector to Emitter Voltage:VCEO>-80V Complement to 2SD10010.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curr

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