2N1613A Todos los transistores

 

2N1613A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1613A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO5

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2N1613A datasheet

 8.1. Size:665K  rca
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2N1613A

 8.2. Size:51K  philips
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2N1613A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D111 2N1613 NPN medium power transistor 1997 Apr 11 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor 2N1613 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V). 1 emitt

 8.3. Size:64K  central
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2N1613A

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.4. Size:224K  cdil
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2N1613A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N1613 TO-39 Metal Can Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Emitter Voltage (RBE

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History: ECG388 | 2SA1529 | 2N6735 | ECG376 | 2N1704 | ZT69 | 2N1608

 

 

 

 

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