2N1613L Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1613L
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 75 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO5
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2N1613L datasheet
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D111 2N1613 NPN medium power transistor 1997 Apr 11 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor 2N1613 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V). 1 emitt
2n1613 2n1711 2n1893.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
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Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N1613 TO-39 Metal Can Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Emitter Voltage (RBE
Otros transistores... 2N161 , 2N1610 , 2N1611 , 2N1612 , 2N1613 , 2N1613-46 , 2N1613A , 2N1613B , B647 , 2N1613S , 2N1614 , 2N1615 , 2N1616 , 2N1616-1 , 2N1616A , 2N1617 , 2N1617-1 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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