2N1613L Todos los transistores

 

2N1613L . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1613L
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N1613L Datasheet (PDF)

 8.1. Size:665K  rca
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2N1613L

 8.2. Size:51K  philips
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2N1613L

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1613NPN medium power transistor1997 Apr 11Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1613FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emitt

 8.3. Size:64K  central
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2N1613L

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 8.4. Size:224K  cdil
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2N1613L

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N1613TO-39Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage (RBE

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History: DDTA125TCA | RN47A6 | 2SA250

 

 
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