2SB861C Todos los transistores

 

2SB861C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB861C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB861C Datasheet (PDF)

 8.1. Size:281K  mcc
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2SB861C

 8.2. Size:281K  mcc
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2SB861C

 8.3. Size:31K  hitachi
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2SB861C

2SB861Silicon PNP Triple DiffusedApplicationLow frequency power amplifier color TV vertical deflection output complementary pair with 2SD1138OutlineTO-220AB1. Base2. Collector(Flange)13. Emitter23Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 200 VCollector to emitter voltage VCEO 150 VEmitter to base voltage VE

 8.4. Size:186K  jmnic
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2SB861C

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB861 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

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History: MJ100BD45 | L2SA812SLT3G | BSYP62 | 2SD1622S | D38L6 | CE1A3Q | GES3250A

 

 
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