2SB861C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB861C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB861C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB861C даташит

 8.1. Size:281K  mcc
 2sb861-b.pdf pdf_icon

2SB861C

 8.2. Size:281K  mcc
 2sb861-c.pdf pdf_icon

2SB861C

 8.3. Size:31K  hitachi
 2sb861.pdf pdf_icon

2SB861C

2SB861 Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output complementary pair with 2SD1138 Outline TO-220AB 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Rating Unit Collector to base voltage VCBO 200 V Collector to emitter voltage VCEO 150 V Emitter to base voltage VE

 8.4. Size:186K  jmnic
 2sb861.pdf pdf_icon

2SB861C

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB861 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB858D, 2SB859, 2SB859B, 2SB859C, 2SB86, 2SB860, 2SB861, 2SB861B, 2SD2499, 2SB862, 2SB863, 2SB863O, 2SB863R, 2SB864, 2SB865, 2SB867, 2SB868