Справочник транзисторов. 2SB861C

 

Биполярный транзистор 2SB861C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB861C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SB861C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB861C Datasheet (PDF)

 8.1. Size:281K  mcc
 2sb861-b.pdf pdf_icon

2SB861C

 8.2. Size:281K  mcc
 2sb861-c.pdf pdf_icon

2SB861C

 8.3. Size:31K  hitachi
 2sb861.pdf pdf_icon

2SB861C

2SB861Silicon PNP Triple DiffusedApplicationLow frequency power amplifier color TV vertical deflection output complementary pair with 2SD1138OutlineTO-220AB1. Base2. Collector(Flange)13. Emitter23Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 200 VCollector to emitter voltage VCEO 150 VEmitter to base voltage VE

 8.4. Size:186K  jmnic
 2sb861.pdf pdf_icon

2SB861C

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB861 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB858D , 2SB859 , 2SB859B , 2SB859C , 2SB86 , 2SB860 , 2SB861 , 2SB861B , TIP42 , 2SB862 , 2SB863 , 2SB863O , 2SB863R , 2SB864 , 2SB865 , 2SB867 , 2SB868 .

 

 
Back to Top

 


 
.