2SB896 Todos los transistores

 

2SB896 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB896
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SB896

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SB896 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  inchange semiconductor
2sb896.pdf pdf_icon

2SB896

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB896DESCRIPTIONCollector-Emitter BreakdownVoltage-: V = -40V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.6(Max.) @I = -7ACE(sat) CHigh speed switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low voltage s

 0.1. Size:93K  inchange semiconductor
2sb896-a.pdf pdf_icon

2SB896

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB896 2SB896A DESCRIPTION With TO-220C package Low collector saturation voltage High speed switching APPLICATIONS For low voltage switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAME

 9.1. Size:86K  1
2sb895 2sb895a.pdf pdf_icon

2SB896

 9.2. Size:81K  1
2sb894.pdf pdf_icon

2SB896

Otros transistores... 2SB892U , 2SB893 , 2SB893D , 2SB893E , 2SB893G , 2SB894 , 2SB895 , 2SB895A , 2N3055 , 2SB896A , 2SB897 , 2SB898 , 2SB899 , 2SB89A , 2SB89AH , 2SB89H , 2SB90 .

 

 
Back to Top

 


 
.