2SB966 Todos los transistores

 

2SB966 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB966
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SB966 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  no
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2SB966

 ..2. Size:153K  jmnic
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2SB966

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB966 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1289 APPLICATIONS For use in low frequency and power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base voltage Open emitte

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
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2SB966

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB966DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = -0.65V(Typ)@I = -5.0ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SD1289100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency po

 9.1. Size:233K  nec
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