Справочник транзисторов. 2SB966

 

Биполярный транзистор 2SB966 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB966
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB966

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB966 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  no
2sb966.pdfpdf_icon

2SB966

 ..2. Size:153K  jmnic
2sb966.pdfpdf_icon

2SB966

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB966 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1289 APPLICATIONS For use in low frequency and power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base voltage Open emitte

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
2sb966.pdfpdf_icon

2SB966

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB966DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = -0.65V(Typ)@I = -5.0ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SD1289100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency po

 9.1. Size:233K  nec
2sb962.pdfpdf_icon

2SB966

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: FMMT591DCSM

 

 
Back to Top

 


 
.