Справочник транзисторов. 2SB966

 

Биполярный транзистор 2SB966 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB966
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB966

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB966 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  no
2sb966.pdfpdf_icon

2SB966

 ..2. Size:153K  jmnic
2sb966.pdfpdf_icon

2SB966

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB966 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1289 APPLICATIONS For use in low frequency and power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base voltage Open emitte

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
2sb966.pdfpdf_icon

2SB966

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB966DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = -0.65V(Typ)@I = -5.0ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SD1289100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency po

 9.1. Size:233K  nec
2sb962.pdfpdf_icon

2SB966

Другие транзисторы... 2SB958 , 2SB959 , 2SB96 , 2SB960 , 2SB962 , 2SB963 , 2SB964 , 2SB965 , 2SA1837 , 2SB967 , 2SB968 , 2SB969 , 2SB97 , 2SB970 , 2SB971 , 2SB972 , 2SB973 .

History: 2S134 | PTB20189 | HUN5137 | BCY72 | BCY66 | DRA4144V

 

 
Back to Top

 


 
.