2SC103 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC103

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO18

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2SC103 datasheet

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2SC103

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2SC103

Power Transistors www.jmnic.com 2SC1030 Silicon NPN Transistors 1B 2E 3C Features With TO-3 package Low frequency power amplifications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 150 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 6 V IC Collector current-Continuous 6 A PD Total Power Dissipation@TC

 0.3. Size:181K  inchange semiconductor
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2SC103

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1034 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 4(Min)@ I = 0.75A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM

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