2SC1031 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC1031
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 27 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 270 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO66
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC1031
2SC1031 Datasheet (PDF)
2sc1030.pdf
Power Transistors www.jmnic.com 2SC1030 Silicon NPN Transistors 1B 2E 3C Features With TO-3 package Low frequency power amplifications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage 150 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 6 V IC Collector current-Continuous 6 A PD Total Power Dissipation@TC
2sc1034.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1034DESCRIPTIONDC Current Gain -h = 4(Min)@ I = 0.75AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM
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