2SC103A Todos los transistores

 

2SC103A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC103A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.08 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2SC103A datasheet

 8.1. Size:453K  sony
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2SC103A

 8.2. Size:44K  jmnic
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2SC103A

Power Transistors www.jmnic.com 2SC1030 Silicon NPN Transistors 1B 2E 3C Features With TO-3 package Low frequency power amplifications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 150 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 6 V IC Collector current-Continuous 6 A PD Total Power Dissipation@TC

 8.3. Size:181K  inchange semiconductor
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2SC103A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1034 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 4(Min)@ I = 0.75A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM

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History: 2SB812A | CSC536KE

 

 

 


 
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