2SC1046N Todos los transistores

 

2SC1046N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1046N
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SC1046N Datasheet (PDF)

 7.1. Size:39K  sanyo
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2SC1046N

 7.2. Size:176K  inchange semiconductor
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2SC1046N

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1046DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh breakdown voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSfor use in horizontal deflection output stages forcolor TV receivesABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Co

 8.1. Size:60K  panasonic
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2SC1046N

Transistor2SC1047Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification of FM/AM radios.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)+0.2 +0.2Parameter Symbol Ratings Unit0.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27Collector to emitter voltage VCEO 20

 8.2. Size:56K  panasonic
 2sc1047.pdf pdf_icon

2SC1046N

Transistor2SC1047Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification of FM/AM radios.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)+0.2 +0.2Parameter Symbol Ratings Unit0.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27Collector to emitter voltage VCEO 20

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History: 2SD1325 | 2SC1775A | BFT47 | SFT214 | 2SC2270 | KSC2690O | 2SC3522

 

 
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