2SC1173G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC1173G

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 300 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO220

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2SC1173G datasheet

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2SC1173G

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2SC1173G

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1173 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA473 Collector current IC=3A Collector dissipation PC=10W@TC=25 APPLICATIONS Low frequency power amplifier Power regulator PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings (T

 7.3. Size:192K  inchange semiconductor
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2SC1173G

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1173 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage Complement to Type 2SA473 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Car radio,car stereo output stage amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

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