2SC1173G Todos los transistores

 

2SC1173G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1173G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC1173G Datasheet (PDF)

 7.1. Size:93K  toshiba
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2SC1173G

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2SC1173G

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1173 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA473 Collector current :IC=3A Collector dissipation:PC=10W@TC=25 APPLICATIONS Low frequency power amplifier Power regulator PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings (T

 7.3. Size:192K  inchange semiconductor
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2SC1173G

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1173DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SA473100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsCar radio,car stereo output stage amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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History: 2SC632A | DTL3512 | NKT63 | UMT13006 | KSB795 | BT2484 | HK100

 

 
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