2SC1227F Todos los transistores

 

2SC1227F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1227F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SC1227F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:176K  inchange semiconductor
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2SC1227F

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1227DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor clocked voltage convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volta

 8.1. Size:75K  panasonic
 2sc1226.pdf pdf_icon

2SC1227F

 8.2. Size:106K  usha
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2SC1227F

Transistors2SC1222

 8.3. Size:180K  inchange semiconductor
 2sc1226 2sc1226a.pdf pdf_icon

2SC1227F

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1226 2SC1226A DESCRIPTION With TO-202 package Complement to type 2SA699/699A APPLICATIONS For medium power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-202) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMET

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History: BLY17C | DT52-650 | IT137

 

 
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