2SC1227F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC1227F
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 15 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO3
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2SC1227F datasheet
2sc1227.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1227 DESCRIPTION With TO-3 Package High voltage Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For clocked voltage converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volta
2sc1226 2sc1226a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1226 2SC1226A DESCRIPTION With TO-202 package Complement to type 2SA699/699A APPLICATIONS For medium power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMET
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History: KSA5055 | 2SC1229 | MQ3646 | MQ3641
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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