2SC1345D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC1345D  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 230 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 max pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 250

Encapsulados: TO92

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2SC1345D datasheet

 7.1. Size:40K  hitachi
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2SC1345D

2SC1344, 2SC1345 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC1344, 2SC1345 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SC1344 2SC1345 Unit Collector to base voltage VCBO 30 55 V Collector to emitter voltage VCEO 30 50 V Emitter to base voltage VEBO 55V Collector current IC 100 100 mA Co

 7.2. Size:43K  hitachi
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2SC1345D

2SC1345(K) Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC1345 (K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 55 V Collector to emitter voltage VCEO 50 V Emitter to base voltage VEBO 5V Collector current IC 100 mA Collector power dissipation PC 2

 8.1. Size:52K  hitachi
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2SC1345D

2SC1342 Silicon NPN Epitaxial Planar Application VHF amplifier, mixer Local oscollator Outline TO-92 (2) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC1342 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector to emitter voltage VCEO 20 V Emitter to base voltage VEBO 4V Collector current IC 30 mA Collector power diss

 8.2. Size:47K  no
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2SC1345D

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