2SC1360A Todos los transistores

 

2SC1360A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1360A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92

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2SC1360A Datasheet (PDF)

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2SC1360A
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Transistor2SC1360, 2SC1360ASilicon NPN epitaxial planer typeFor intermadiate frequency amplification of TV imageUnit: mm5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh transition frequency fT.Large collector power dissipation PC.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings UnitCollector to 2SC1360 50VCBO Vbase voltage 2SC1360A 60Collector to 2S

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Transistor2SC1360, 2SC1360ASilicon NPN epitaxial planer typeFor intermadiate frequency amplification of TV imageUnit: mm5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh transition frequency fT.Large collector power dissipation PC.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings UnitCollector to 2SC1360 50VCBO Vbase voltage 2SC1360A 60Collector to 2S

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2SC1360(3DA1360) 2SC1360A(3DA1360A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Picture IF amplifier . :, Features: High f , large P . T C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 2SC1360 50 VCBO V 2SC1360A 60 2SC1360

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