2SC1475 Todos los transistores

 

2SC1475 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1475
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 32 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 98
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SC1475 datasheet

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2SC1475

Transistor 2SC1473, 2SC1473A Silicon NPN triple diffusion planer type For general amplification Unit mm 2SC1473 complementary to 2SA1018 5.0 0.2 4.0 0.2 2SC1473A complementary to 2SA1767 Features High collector to emitter voltage VCEO. High transition frequency fT. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector t... See More ⇒

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Transistor 2SC1473, 2SC1473A Silicon NPN triple diffusion planer type For general amplification Unit mm 2SC1473 complementary to 2SA1018 5.0 0.2 4.0 0.2 2SC1473A complementary to 2SA1767 Features High collector to emitter voltage VCEO. High transition frequency fT. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector t... See More ⇒

 8.3. Size:47K  hitachi
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2SC1475

2SC1472(K) Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92 (1) 3 2 1. Emitter 1 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC1472 (K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 40 V Collector to emitter voltage VCEO 30 V Emitter to base voltage VEBO 10 V Collector current IC 300 mA Collector peak current ... See More ⇒

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History: 2SD723

 

 
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