2SC1479 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SC1479
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO39

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC1479

2SC1479 Datasheet (PDF)

8.1. Size:51K panasonic
2sc1473 e.pdf

Transistor2SC1473, 2SC1473ASilicon NPN triple diffusion planer typeFor general amplificationUnit: mm2SC1473 complementary to 2SA10185.0 0.2 4.0 0.22SC1473A complementary to 2SA1767FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector t

8.2. Size:47K panasonic
2sc1473.pdf

8.3. Size:47K hitachi
2sc1472.pdf

2SC1472(K)Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineTO-92 (1)321. Emitter12. Collector3. Base3212SC1472 (K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 40 VCollector to emitter voltage VCEO 30 VEmitter to base voltage VEBO 10 VCollector current IC 300 mACollector peak current

8.4. Size:126K no
2sc1475.pdf