2SC1517K Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC1517K
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO202
Búsqueda de reemplazo de 2SC1517K
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SC1517K datasheet
2sc1518 e.pdf
Transistor 2SC1518 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency bias oscillation of tape recorders Unit mm For DC-DC converter 5.9 0.2 4.9 0.2 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Satisfactory operation performances and high efficiency with a low-voltage power supply. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol
2sc1518.pdf
Transistor 2SC1518 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency bias oscillation of tape recorders Unit mm For DC-DC converter 5.9 0.2 4.9 0.2 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Satisfactory operation performances and high efficiency with a low-voltage power supply. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol
2sc1515.pdf
2SC1515(K) Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage switching Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC1515 (K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 200 V Collector to emitter voltage VCES 200 V VCEO 150 V Emitter to base voltage VEBO 5V Collector current IC 50 mA Collector power dissipat
Otros transistores... 2SC1512 , 2SC1514 , 2SC1515 , 2SC1515K , 2SC1516 , 2SC1516K , 2SC1517 , 2SC1517A , TIP42C , 2SC1518 , 2SC1519 , 2SC151H , 2SC152 , 2SC15-2 , 2SC1520 , 2SC1521 , 2SC1522 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a