Биполярный транзистор 2SC1517K - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1517K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO202
2SC1517K Datasheet (PDF)
2sc1518 e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Transistor2SC1518Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency bias oscillation of tape recordersUnit: mmFor DC-DC converter5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Satisfactory operation performances and high efficiency with alow-voltage power supply.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol
2sc1518.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Transistor2SC1518Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency bias oscillation of tape recordersUnit: mmFor DC-DC converter5.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Satisfactory operation performances and high efficiency with alow-voltage power supply.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol
2sc1515.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC1515(K)Silicon NPN Triple DiffusedApplicationHigh voltage switchingOutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC1515 (K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 200 VCollector to emitter voltage VCES 200 VVCEO 150 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 50 mACollector power dissipat
2sc1514.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1514 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) Good Linearity of hFE Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for use in high frequency high voltage amplifier and TV viedo output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMET
2sc1516.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1516DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 1.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.AB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .