2SC1580 Todos los transistores

 

2SC1580 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1580
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 180 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SC1580 Datasheet (PDF)

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2SC1580

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1580DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage

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 8.2. Size:177K  inchange semiconductor
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2SC1580

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1586DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage

 8.3. Size:177K  inchange semiconductor
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2SC1580

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1585DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh voltageWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage

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