2SC1627 Todos los transistores

 

2SC1627 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1627
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 16 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SC1627 Datasheet (PDF)

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2SC1627

2SC1627 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC1627 Driver Stage Amplifier Applications Unit: mm Voltage Amplifier Applications Complementary to 2SA817 Driver stage application of 20 to 25 watts amplifiers. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 80 VCollector-emitter voltage VCEO

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2SC1627

2SC1627A TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features5.8006.200 Complementary to 2SA817A 8.400Driver Stage Application of 30 to 35 Watts Amplifiers 8.8000.900 1.1000.400MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) 0.60013.80014.200Symbol parameter Value Units VCBO 80 VCollector-Base Voltage 1.500 TYP

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2SC1627

2SC1627AF(BR3DG1627AF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 3035W 2SA817AF(BR3CG817AF) Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(BR3CG817AF). / Applications

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