Биполярный транзистор 2SC1627 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1627
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO92
2SC1627 Datasheet (PDF)
2sc1627.pdf
2SC1627 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC1627 Driver Stage Amplifier Applications Unit: mm Voltage Amplifier Applications Complementary to 2SA817 Driver stage application of 20 to 25 watts amplifiers. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 80 VCollector-emitter voltage VCEO
2sc1627a to-92mod.pdf
2SC1627A TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features5.8006.200 Complementary to 2SA817A 8.400Driver Stage Application of 30 to 35 Watts Amplifiers 8.8000.900 1.1000.400MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) 0.60013.80014.200Symbol parameter Value Units VCBO 80 VCollector-Base Voltage 1.500 TYP
2sc1627af.pdf
2SC1627AF(BR3DG1627AF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 3035W 2SA817AF(BR3CG817AF) Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(BR3CG817AF). / Applications
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
