2SC1627AO Todos los transistores

 

2SC1627AO . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1627AO
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC1627AO Datasheet (PDF)

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2SC1627AO

 6.2. Size:231K  lge
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2SC1627AO

2SC1627A TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features5.8006.200 Complementary to 2SA817A 8.400Driver Stage Application of 30 to 35 Watts Amplifiers 8.8000.900 1.1000.400MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) 0.60013.80014.200Symbol parameter Value Units VCBO 80 VCollector-Base Voltage 1.500 TYP

 6.3. Size:498K  blue-rocket-elect
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2SC1627AO

2SC1627AF(BR3DG1627AF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 3035W 2SA817AF(BR3CG817AF) Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(BR3CG817AF). / Applications

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History: BC848CW-G | 2SA1706T-AN | 2SA815 | HSB857D | 3DG2413K | 2N2916DCSM

 

 
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