2SC1680 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC1680
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO128
Búsqueda de reemplazo de 2SC1680
2SC1680 Datasheet (PDF)
2sc1688 e.pdf
Transistor2SC1688Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesSmall common emitter reverse transfer capacitance Cre.High transition frequency fT.Center at the emitter pin.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 50 V1.27 1.27
Otros transistores... 2SC1675K , 2SC1675L , 2SC1675M , 2SC1676 , 2SC1677 , 2SC1678 , 2SC1679 , 2SC168 , 8050 , 2SC1681 , 2SC1682 , 2SC1683 , 2SC1683A , 2SC1684 , 2SC1685 , 2SC1686 , 2SC1687 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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