2SC1971 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC1971
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 175 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO220
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2SC1971 datasheet
2sc1971.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1971 DESCRIPTION High Power Gain- G 7dB, P = 6W; V = 13.5V pe O CE High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Bas
2sc1975.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1975 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage V =160V(Min) (BR)CBO Withstands worst overload conditions. 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Design for used in transceiver power output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Otros transistores... 2SC1965A , 2SC1966 , 2SC1967 , 2SC1968 , 2SC1968A , 2SC1969 , 2SC197 , 2SC1970 , A1941 , 2SC1972 , 2SC1973 , 2SC1974 , 2SC1975 , 2SC1976 , 2SC1977 , 2SC1978 , 2SC198 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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