2SC2078D Todos los transistores

 

2SC2078D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2078D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 75 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC2078D

 

Principales características: 2SC2078D

 7.1. Size:111K  sanyo
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2SC2078D

Ordering number EN462E NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC2078 27MHz RF Power Amplifier Applications Package Dimensions unit mm 2010C [2SC2078] 1 Base JEDEC TO-220AB 2 Collector EIAJ SC-46 3 Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO 80 V Collector-to-Emitter Voltage VCE

 7.2. Size:521K  slkor
 2sc2078b 2sc1815c 2sc1815d 2sc1815e.pdf pdf_icon

2SC2078D

2SC2078 Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION B F SEATING T PLANE C 4 Designed primarily for SSB linear power T S amplifier applications A Q 1 2 3 H FEATURES U K Z Specified 12.5V, 27MHz Characteristics L PO = 4W PEP V ft = 200 MHz STYLE 1 R G PIN 1. BASE 2. COLLECTOR J D 3. EMITTER N 4. COLLECTOR DIMENSIONS UNIT A B C D F G H J K L N Q R

 7.3. Size:239K  inchange semiconductor
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2SC2078D

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2078 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- VCER= 75V(Min) ;RBE=150 Collector Current- IC=3A APPLICATIONS 27MHz RF Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCER Collector-Emitter Voltage RBE=15

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