2SC2270 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2270 📄📄

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: TO126

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2SC2270 datasheet

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2270 DESCRIPTION High Collector Power Dissipation P =10W(Tc=25 ), P =1.0W(Ta=25 ) C C High DC Current Gain h =140 450@V =2V,I =0.5A FE CE C h =70(Min)@V =2V,I =4A FE CE C Low Collector Saturation Voltage V =1.0V(Max)@I =4A,I 0.1A CE(sat) C B= Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLIC

8.1. Size:38K hitachi
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