2SC2270 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC2270 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2270 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO126

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC2270

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC2270 даташит

..1. Size:94K toshiba
2sc2270.pdf pdf_icon

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

..2. Size:216K inchange semiconductor
2sc2270.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2270 DESCRIPTION High Collector Power Dissipation P =10W(Tc=25 ), P =1.0W(Ta=25 ) C C High DC Current Gain h =140 450@V =2V,I =0.5A FE CE C h =70(Min)@V =2V,I =4A FE CE C Low Collector Saturation Voltage V =1.0V(Max)@I =4A,I 0.1A CE(sat) C B= Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLIC

8.1. Size:38K hitachi
2sc2278.pdf pdf_icon