2SC2310O Todos los transistores

 

2SC2310O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2310O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92

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2SC2310O Datasheet (PDF)

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2SC458 (LG), 2SC2310Silicon NPN EpitaxialApplication Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032OutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC458 (LG), 2SC2310Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 UnitCollector to base voltage VCBO 30 55 VCollector to emitter voltage VCEO 30 50 VEmit

 8.1. Size:85K  sanyo
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INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2316DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 80(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

 8.4. Size:194K  inchange semiconductor
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isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2314DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 75V(Min) ;R =150CER BECollector Current-:I =1.5ACLow Saturation Voltage: V =0.6V(MAX)@ IC=0.5ACE(sat)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
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