2SC2310O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2310O  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO92

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2SC2310O datasheet

 7.1. Size:41K  hitachi
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2SC2310O

2SC458 (LG), 2SC2310 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC458 (LG), 2SC2310 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 Unit Collector to base voltage VCBO 30 55 V Collector to emitter voltage VCEO 30 50 V Emit

 8.1. Size:85K  sanyo
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2SC2310O

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2SC2310O

 8.3. Size:184K  inchange semiconductor
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2SC2310O

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2316 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80(V)(Min.) (BR)CEO 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Series regulator,switch and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

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