2SC2595 Todos los transistores

 

2SC2595 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2595

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO131

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2SC2595 datasheet

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2SC2595

Power Transistors 2SC2590 Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency power amplification Unit mm 8.0+0.5 0.1 3.2 0.2 3.16 0.1 Features Excellent collector current IC characteristics of forward current transfer ratio hFE High transition frequency fT TO-126B package which requires no insulation plate for installa- tion to the heat sink Absolute

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2SC2595

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC2591 2SC2592 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SA1111/1112 Good linearity of hFE High VCEO APPLICATIONS For audio frequency, high power amplifiers application PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Fig.1 simplified outline (TO-

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