2SC2672 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2672

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO131

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2SC2672 datasheet

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2SC2672

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2SC2672

2SC2670 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2670 High Frequency Amplifier Applications Unit mm AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications Low noise figure NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 35 V Collector-emitter v

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2SC2672

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2SC2672

Transistor 2SC2671(F) Silicon NPN epitaxial planer type For UHF band low-noise amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Low noise figure NF. High gain. High transition frequency fT. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) +0.2 +0.2 Parameter Symbol Ratings Unit 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 15 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCER* 14 V E

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