2SC2672. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC2672
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: TO131
Аналоги (замена) для 2SC2672
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC2672 даташит
2sc2670.pdf
2SC2670 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2670 High Frequency Amplifier Applications Unit mm AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications Low noise figure NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 35 V Collector-emitter v
2sc2671 e.pdf
Transistor 2SC2671(F) Silicon NPN epitaxial planer type For UHF band low-noise amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Low noise figure NF. High gain. High transition frequency fT. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) +0.2 +0.2 Parameter Symbol Ratings Unit 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 15 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCER* 14 V E
Другие транзисторы: 2SC2669R, 2SC2669Y, 2SC267, 2SC2670, 2SC2670O, 2SC2670R, 2SC2670Y, 2SC2671, 2SA1943, 2SC2673, 2SC2674, 2SC2675, 2SC2676, 2SC2677, 2SC2678, 2SC2679, 2SC267A
History: 2SC2671
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227





