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2SC267A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC267A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 45 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO50-1
 

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2SC267A datasheet

 8.1. Size:255K  1
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2SC267A

 8.2. Size:349K  toshiba
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2SC267A

2SC2670 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2670 High Frequency Amplifier Applications Unit mm AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications Low noise figure NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 35 V Collector-emitter v

 8.3. Size:120K  rohm
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2SC267A

 8.4. Size:41K  panasonic
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2SC267A

Transistor 2SC2671(F) Silicon NPN epitaxial planer type For UHF band low-noise amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Low noise figure NF. High gain. High transition frequency fT. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) +0.2 +0.2 Parameter Symbol Ratings Unit 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 15 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCER* 14 V E

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History: 2SC2682

 

 

 


 
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