2SC269 Todos los transistores

 

2SC269 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC269
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO50-1
 

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2SC269 Datasheet (PDF)

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2SC269

 0.2. Size:197K  inchange semiconductor
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2SC269

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2690DESCRIPTIONHigh voltage and high fTComplementary to 2SA1220 PNP transistor100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThe 2SC2690 is general purpose transistors designedFor use in audio and radio frequency power amplifiers.Suitable

 0.3. Size:151K  inchange semiconductor
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2SC269

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2690 2SC2690A DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1220/1220A APPLICATIONS For use in audio and radio frequency power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CON

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History: 2SD2079 | 3DK3767 | 9020 | D26C3 | 2SB368 | HEPS3051 | 2N6771

 

 
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