2SC2695 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2695
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 32 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 520 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: XM24
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC2695
2SC2695 Datasheet (PDF)
2sc2690.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2690DESCRIPTIONHigh voltage and high fTComplementary to 2SA1220 PNP transistor100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThe 2SC2690 is general purpose transistors designedFor use in audio and radio frequency power amplifiers.Suitable
2sc2690 2sc2690a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2690 2SC2690A DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1220/1220A APPLICATIONS For use in audio and radio frequency power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CON
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History: L2SC4081QT3G
History: L2SC4081QT3G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050