2SC2695 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2695

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 32 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 520 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: XM24

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2SC2695 datasheet

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2SC2695

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2SC2695

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2690 DESCRIPTION High voltage and high fT Complementary to 2SA1220 PNP transistor 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS The 2SC2690 is general purpose transistors designed For use in audio and radio frequency power amplifiers. Suitable

 8.3. Size:151K  inchange semiconductor
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2SC2695

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2690 2SC2690A DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1220/1220A APPLICATIONS For use in audio and radio frequency power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CON

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