2SC274H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC274H
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SP2
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2SC274H datasheet
2sc2749.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2749 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching industrial use General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME
2sc2740.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2740 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Speed Switching Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U
Otros transistores... 2SC2741 , 2SC2743 , 2SC2744 , 2SC2745 , 2SC2746 , 2SC2748 , 2SC2749 , 2SC2749A , 2SD1047 , 2SC2751 , 2SC2751A , 2SC2751N , 2SC2751O , 2SC2751R , 2SC2751Y , 2SC2752 , 2SC2752N .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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