2SC284H Todos los transistores

 

2SC284H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC284H
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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2SC284H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:183K  sanyo
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2SC284H

 8.2. Size:345K  kexin
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2SC284H

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2845SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=70mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=12V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 25 Collec

 8.3. Size:198K  inchange semiconductor
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2SC284H

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2841DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 500V(Min)(BR)CBOHigh Switching SpeedLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed power switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C

 8.4. Size:63K  inchange semiconductor
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2SC284H

INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor 2SC2845 DESCRIPTION Low Noise High Gain High Current-Gain Bandwidth Product APPLICATIONS Designed for use in UHF low noise amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 25 V VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V VEBO Emitter-Base

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