2SC2903 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2903  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W

Tensión colector-base (Vcb): 800 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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2SC2903 datasheet

 8.1. Size:45K  sanyo
 2sa1207 2sc2909 2sc2909.pdf pdf_icon

2SC2903

Ordering number ENN778F PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1207/2SC2909 High-Voltage Switching AF 60W Predriver Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET process. unit mm High breakdown voltage. 2003B Excellent linearity of hFE and small Cob. [2SA1207/2SC2909] Fast switching speed. 5.0 4.0 4.0 0.45 0.5 0.44 0.45 1 2 3 1 Emitter

 8.2. Size:156K  nec
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2SC2903

 8.3. Size:120K  mospec
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2SC2903

A A A

 8.4. Size:210K  inchange semiconductor
 2sc2908.pdf pdf_icon

2SC2903

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2908 DESCRIPTION With TO-3PN package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For use in power amplifier and switching circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBO

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