2SC2960E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2960E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SPA
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC2960E
2SC2960E Datasheet (PDF)
2sa1481 2sc2960.pdf
Ordering number:EN829HPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1481/2SC2960High-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Fast switching speed.unit:mm High breakdown voltage.2033[2SA1481/2SC2960]B : BaseC : Collector( ) : 2SA1481E : EmitterSpecificationsSANYO : SPAAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions Rating
2sc2965.pdf
isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2965DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust devicePerformance and reliable operation.APPLICATIONSSwitching regulatorMotor controlsDeflections circuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C
2sc2964.pdf
isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2964DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust devicePerformance and reliable operation.APPLICATIONSSwitching regulatorMotor controlsDeflections circuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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