2SC2960E Todos los transistores

 

2SC2960E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2960E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SPA
 

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2SC2960E Datasheet (PDF)

 7.1. Size:223K  sanyo
 2sa1481 2sc2960.pdf pdf_icon

2SC2960E

Ordering number:EN829HPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1481/2SC2960High-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Fast switching speed.unit:mm High breakdown voltage.2033[2SA1481/2SC2960]B : BaseC : Collector( ) : 2SA1481E : EmitterSpecificationsSANYO : SPAAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions Rating

 8.1. Size:177K  inchange semiconductor
 2sc2965.pdf pdf_icon

2SC2960E

isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2965DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust devicePerformance and reliable operation.APPLICATIONSSwitching regulatorMotor controlsDeflections circuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C

 8.2. Size:178K  inchange semiconductor
 2sc2964.pdf pdf_icon

2SC2960E

isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2964DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust devicePerformance and reliable operation.APPLICATIONSSwitching regulatorMotor controlsDeflections circuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C

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History: KSA733L | 2SD1763A | MJD200T4G

 

 
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