2SC3032 Todos los transistores

 

2SC3032 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3032
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 900 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO218
 

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2SC3032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  inchange semiconductor
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2SC3032

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC3032DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageLow Collector-Emitter Breakdown VoltageGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in humidifier , DC/DC converter andgeneral purpose app

 8.1. Size:98K  sanyo
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2SC3032

Ordering number:EN996BNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3039400V/7A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO 500V).unit:mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.[2SC3039]1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParamet

 8.2. Size:99K  sanyo
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2SC3032

Ordering number:EN949BNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3038400V/4A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO 500V).unit:mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.[2SC3038]1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParamet

 8.3. Size:109K  fuji
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2SC3032

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

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