2SC3212A Todos los transistores

 

2SC3212A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC3212A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 900 V

Tensión colector-emisor (Vce): 500 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO3PF

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2SC3212A datasheet

 ..1. Size:124K  inchange semiconductor
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2SC3212A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3212 2SC3212A DESCRIPTION With TO-3PFa package Low collector saturation voltage High VCBO High speed switching APPLICATIONS For high speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VA

 7.1. Size:81K  panasonic
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2SC3212A

 7.2. Size:156K  jmnic
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2SC3212A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3212 2SC3212A DESCRIPTION With TO-3PFa package Low collector saturation voltage High VCBO High speed switching APPLICATIONS For high speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT 2SC3212

 7.3. Size:197K  inchange semiconductor
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2SC3212A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3212 DESCRIPTION Collector-Emiiter Sustaining Voltage- V = 500V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage V = 1.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: 2SC3218

 

 

 


 
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