2SC3212A Todos los transistores

 

2SC3212A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3212A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 900 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC3212A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  inchange semiconductor
 2sc3212 2sc3212a.pdf pdf_icon

2SC3212A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3212 2SC3212A DESCRIPTION With TO-3PFa package Low collector saturation voltage High VCBO High speed switching APPLICATIONS For high speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VA

 7.1. Size:81K  panasonic
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2SC3212A

 7.2. Size:156K  jmnic
 2sc3212.pdf pdf_icon

2SC3212A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3212 2SC3212A DESCRIPTION With TO-3PFa package Low collector saturation voltage High VCBO High speed switching APPLICATIONS For high speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT2SC3212

 7.3. Size:197K  inchange semiconductor
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2SC3212A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3212DESCRIPTION Collector-Emiiter Sustaining Voltage-: V = 500V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage: V = 1.0V(Max.)@ I = 5ACE(sat) CHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: 2SC2959 | 2N1196 | MUN5116DW1T1G | 2SA1480E | 2N4355 | 2SA909

 

 
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