2SC3222 Todos los transistores

 

2SC3222 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3222
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 230 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 230 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SC3222 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:361K  1
 2sc2937 2sc3224 2sc3262 2sc3261 2sc3259 2sc2507 2sc2506 2sc2829 2sc2827 2sc2826.pdf pdf_icon

2SC3222

 8.2. Size:212K  toshiba
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2SC3222

 8.3. Size:91K  inchange semiconductor
 2sc3220.pdf pdf_icon

2SC3222

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3220 DESCRIPTION With TO-247 package Switching power transistor High breakdown voltage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Tc=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE U

 8.4. Size:179K  inchange semiconductor
 2sc3229.pdf pdf_icon

2SC3222

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC3229DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOHigh Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator, lighting inverter andgeneral purpose applications.ABSOLUTE MAX

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History: BC549 | 2SC4353

 

 
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