2N1966 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N1966
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Paquete / Cubierta: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1966

2N1966 Datasheet (PDF)

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Otros transistores... 2N1962 , 2N1962-46 , 2N1963 , 2N1963-46 , 2N1964 , 2N1964-46 , 2N1965 , 2N1965-46 , BC337 , 2N1967 , 2N1968 , 2N1969 , 2N197 , 2N1970 , 2N1971 , 2N1972 , 2N1973 .

History: 2N1173

Liste

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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050