Биполярный транзистор 2N1966 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1966
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2N1962 , 2N1962-46 , 2N1963 , 2N1963-46 , 2N1964 , 2N1964-46 , 2N1965 , 2N1965-46 , BC337 , 2N1967 , 2N1968 , 2N1969 , 2N197 , 2N1970 , 2N1971 , 2N1972 , 2N1973 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050