2N1966 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1966  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2N1966

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1966 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1962, 2N1962-46, 2N1963, 2N1963-46, 2N1964, 2N1964-46, 2N1965, 2N1965-46, 13003, 2N1967, 2N1968, 2N1969, 2N197, 2N1970, 2N1971, 2N1972, 2N1973